provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero di parte | MPLAD30KP350CAE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | - |
| Canali bidirezionali | 1 |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 350V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 389V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 564V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 53A |
| Potenza - Peak Pulse | 30000W (30kW) |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Nonstandard SMD |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLAD |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
Disponibile: 148
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 120VWM 193VC PLAD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 120VWM 193VC PLAD
Disponibile: 0
