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| Numero di parte | APTM120A80FT1G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6696pF @ 25V |
| Potenza - Max | 357W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Disponibile: 4
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Disponibile: 46
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
Disponibile: 0
