provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero di parte | APTGT50H60T3G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Full Bridge Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Potenza - Max | 176W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 1200V 140A SP2
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 1200V 140A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 600V 150A SP2
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3
Disponibile: 7
