Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTGF50H60T3G

Microsemi Corporation APTGF50H60T3G

Numero di parte
APTGF50H60T3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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26.06000/pcs
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Parametro del prodotto
Numero di parte APTGF50H60T3G
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Configurazione Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 65A
Potenza - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
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