Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTGF180H60G

Microsemi Corporation APTGF180H60G

Numero di parte
APTGF180H60G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Etichetta del prezzo:
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Parametro del prodotto
Numero di parte APTGF180H60G
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Configurazione Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 220A
Potenza - Max 833W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 180A
Corrente - Limite del collettore (max) 300µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 8.6nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP6
Pacchetto dispositivo fornitore SP6
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