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| Numero di parte | APTC60AM18SCG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 143A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 71.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1036nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 25V |
| Potenza - Max | 833W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6
Disponibile: 10
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2
Disponibile: 12
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Disponibile: 5
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Disponibile: 10
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Disponibile: 0
