Numero di parte | APT47N60SC3G |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7015pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 417W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 30A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3 [S] |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V TO-247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Disponibile: 5
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Disponibile: 2905
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Disponibile: 355