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| Numero di parte | APT45GP120JDQ2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Potenza - Max | 329W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 750µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | ISOTOP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Disponibile: 348
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 100A 625W TO247
Disponibile: 57
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 650V 92A 357W TO-247
Disponibile: 62
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
Disponibile: 0
