Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli APT35GN120L2DQ2G

Microsemi Corporation APT35GN120L2DQ2G

Numero di parte
APT35GN120L2DQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 94A 379W TO264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 187 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    6.50500/pcs

  • 10 pcs

    5.85550/pcs

  • 25 pcs

    5.33520/pcs

  • 100 pcs

    4.81470/pcs

  • 250 pcs

    4.42430/pcs

  • 500 pcs

    4.03392/pcs
Totale:6.50500/pcs Unit Price:
6.50500/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT35GN120L2DQ2G
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 94A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Potenza - Max 379W
Cambiare energia 2.315mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 220nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 24ns/300ns
Condizione di test 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitore -
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