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| Numero di parte | APT30GP60BG |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 463W |
| Cambiare energia | 260µJ (on), 250µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 90nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 13ns/55ns |
| Condizione di test | 400V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Disponibile: 31
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Disponibile: 564
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Disponibile: 17
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Disponibile: 2903
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Disponibile: 125
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Disponibile: 77
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Disponibile: 3
