Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APT150GN120JDQ4

Microsemi Corporation APT150GN120JDQ4

Numero di parte
APT150GN120JDQ4
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 240 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    27.93000/pcs

  • 10 pcs

    26.28650/pcs

  • 25 pcs

    24.64380/pcs

  • 100 pcs

    23.49365/pcs
Totale:27.93000/pcs Unit Price:
27.93000/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT150GN120JDQ4
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 215A
Potenza - Max 625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Corrente - Limite del collettore (max) 300µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 9.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®
prodotti correlati
APT150GN120J

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Disponibile: 21

RFQ 20.16500/pcs
APT150GN120JDQ4

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Disponibile: 96

RFQ 27.93000/pcs
APT150GN60B2G

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Disponibile: 19

RFQ 10.65000/pcs
APT150GN60J

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Disponibile: 16

RFQ 14.89000/pcs
APT150GN60JDQ4

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Disponibile: 15

RFQ 17.95000/pcs
APT150GN60LDQ4G

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Disponibile: 0

RFQ 11.62520/pcs
APT150GT120JR

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Disponibile: 29

RFQ 26.89000/pcs
APT15D100BCTG

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Disponibile: 0

RFQ 2.10773/pcs
APT15D100BG

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Disponibile: 14

RFQ 1.84500/pcs
APT15D100BHBG

fabbricante: Microsemi Corporation

Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Disponibile: 0

RFQ -