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| Numero di parte | APT11N80BC3G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 14
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 3
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Disponibile: 7
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Disponibile: 30
