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| Numero di parte | APT100GT120JU3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 140A |
| Potenza - Max | 480W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.2nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | ISOTOP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 14
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 3
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Disponibile: 7
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Disponibile: 30
