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| Numero di parte | MXL1013DS8+T |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| genere | General Purpose |
| Numero di elementi | 2 |
| Tipo di uscita | - |
| Tensione - Alimentazione, singola / doppia (±) | 5V |
| Voltage - Input Offset (Max) | 300µV |
| Corrente - Input Bias (Max) | 30nA |
| Corrente - Uscita (Typ) | - |
| Corrente - Quiescente (max) | 550µA |
| CMRR, PSRR (Typ) | 114dB CMRR, 117dB PSRR |
| Ritardo di propagazione (massimo) | - |
| isteresi | - |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 85.5VWM 137VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
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fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 85.5VWM 137VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 85.5VWM 137VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE1
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fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE1
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fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE1
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fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 94VWM 152VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 94VWM 152VC CASE1
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