Infineon Technologies SPA02N80C3

Numero di parte: SPA02N80C3
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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In stock 2392 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.58500/pcs
10 pcs
0.55000/pcs
100 pcs
0.43485/pcs
500 pcs
0.33722/pcs
1,000 pcs
0.26623/pcs

Totale:0.58500/pcs

Unit Price:

0.58500/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	SPA02N80C3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 Ohm @ 1.2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-FP
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack