Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SN7002NH6433XTMA1

Infineon Technologies SN7002NH6433XTMA1

Numero di parte
SN7002NH6433XTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SN7002NH6433XTMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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