Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli IRG5U50HH12E

Infineon Technologies IRG5U50HH12E

Numero di parte
IRG5U50HH12E
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOD IGBT 1200V 50A POWIR ECO 2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte IRG5U50HH12E
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT -
Configurazione Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 85A
Potenza - Max 390W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso POWIR ECO 2™ Module
Pacchetto dispositivo fornitore POWIR ECO 2™
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