Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array IRF7104PBF

Infineon Technologies IRF7104PBF

Numero di parte
IRF7104PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 76723 pz
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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRF7104PBF
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
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