Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli IGB50N60T

Infineon Technologies IGB50N60T

Numero di parte
IGB50N60T
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT 600V 100A 333W TO263-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 4008 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    -
  • 10 pcs

    2.33200/pcs
  • 100 pcs

    1.91060/pcs
  • 500 pcs

    1.62645/pcs
Totale:0 Unit Price:
0
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IGB50N60T
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Potenza - Max 333W
Cambiare energia 2.6mJ
Tipo di input Standard
Carica del cancello 310nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 26ns/299ns
Condizione di test 400V, 50A, 7 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3-2
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