global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.
| Numero di parte | GP1M005A050HS |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 602pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 92.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.85 Ohm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
Disponibile: 0
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
Disponibile: 0
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Disponibile: 0
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A TO220
Disponibile: 0
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Disponibile: 0
