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| Numero di parte | IRF634B_FP001 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.05A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Disponibile: 2361
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Disponibile: 0
