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| Numero di parte | HUF75639G3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 56A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 50V 44A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 15A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Disponibile: 0
