Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli ZXTN2010ASTZ

Diodes Incorporated ZXTN2010ASTZ

Numero di parte
ZXTN2010ASTZ
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parte ZXTN2010ASTZ
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 200mA, 5A
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Potenza - Max 1W
Frequenza - Transizione 130MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
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