Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF FMMT5179TC

Diodes Incorporated FMMT5179TC

Numero di parte
FMMT5179TC
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Numero di parte FMMT5179TC
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 2GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 4.5dB @ 200MHz
Guadagno 15dB
Potenza - Max 330mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
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