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| Numero di parte | DN2625K4-G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.1A (Tj) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.04nC @ 1.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1A, 0V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
fabbricante: Microchip Technology
Descrizione: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Disponibile: 608
fabbricante: Microchip Technology
Descrizione: MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
Disponibile: 6000
