Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples SIHP38N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHP38N60E-GE3

Numéro d'article
SIHP38N60E-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

En Stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence

    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    3.46500/pcs
  • 10 pcs

    3.27550/pcs
  • 100 pcs

    2.69330/pcs
  • 500 pcs

    2.25657/pcs
  • 1,000 pcs

    1.96540/pcs
Total:3.46500/pcs Unit Price:
3.46500/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article SIHP38N60E-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 183nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 19A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
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