Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-GE3

Numéro d'article
SI9933CDY-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Vishay Corporation

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vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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Paramètre du produit
Numéro d'article SI9933CDY-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 10V
Puissance - Max 3.1W
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
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