Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés RN1305,LF

Toshiba Semiconductor and Storage RN1305,LF

Numéro d'article
RN1305,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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En Stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence

    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    0.02415/pcs
  • 3,000 pcs

    0.02415/pcs
  • 6,000 pcs

    0.02100/pcs
  • 15,000 pcs

    0.01785/pcs
  • 30,000 pcs

    0.01680/pcs
  • 75,000 pcs

    0.01575/pcs
  • 150,000 pcs

    0.01400/pcs
Total:0.02415/pcs Unit Price:
0.02415/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article RN1305,LF
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur USM
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