Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples PSMN7R0-100ES,127

Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100ES,127

Numéro d'article
PSMN7R0-100ES,127
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 100V I2PAK
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

En Stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence

    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    1.32000/pcs
  • 10 pcs

    1.25400/pcs
  • 100 pcs

    1.00780/pcs
  • 500 pcs

    0.78386/pcs
  • 1,000 pcs

    0.64948/pcs
Total:1.32000/pcs Unit Price:
1.32000/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article PSMN7R0-100ES,127
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6686pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I2PAK
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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