Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS,115

Numéro d'article: PSMN2R6-40YS,115
Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Paramètre du produit

Numéro d'article	PSMN2R6-40YS,115
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3776pF @ 12V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	131W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas	SC-100, SOT-669