Numéro d'article | JANTX2N6211 |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 225V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 125mA, 1A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5mA |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1A, 5V |
Puissance - Max | 3W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-213AA, TO-66-2 |
Package de périphérique fournisseur | TO-66 (TO-213AA) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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