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| Numéro d'article | APTML50UM90R020T1AG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 52A |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 568W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 26A, 10V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SP1 |
| Paquet / cas | SP1 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 52A SP1
En stock: 0
