Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - IGBT - Modules APTGT30A170D1G

Microsemi Corporation APTGT30A170D1G

Numéro d'article
APTGT30A170D1G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - IGBT - Modules
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Paramètre du produit
Numéro d'article APTGT30A170D1G
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 45A
Puissance - Max 210W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 3mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas D1
Package de périphérique fournisseur D1
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