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| Numéro d'article | APT80GP60J |
|---|---|
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type d'IGBT | PT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 151A |
| Puissance - Max | 462W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 80A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 9.84nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
En stock: 1
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
En stock: 92
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
En stock: 9
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
En stock: 6
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
En stock: 0
