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| Numéro d'article | APT80GA90B |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 900V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 145A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 239A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 47A |
| Puissance - Max | 625W |
| Échange d'énergie | 1652µJ (on), 1389µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 200nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 18ns/149ns |
| Condition de test | 600V, 47A, 4.7 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
En stock: 1
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
En stock: 92
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
En stock: 9
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
En stock: 6
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
En stock: 0
