Numéro d'article | APT40GP60JDQ2 |
---|---|
État de la pièce | Not For New Designs |
Type d'IGBT | PT |
Configuration | Single |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 86A |
Puissance - Max | 284W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500µA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 4.61nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V TO-247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
En stock: 5
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
En stock: 2905
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
En stock: 355