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| Numéro d'article | APT35GP120J |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 64A |
| Puissance - Max | 284W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 250µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
En stock: 31
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
En stock: 564
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
En stock: 17
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
En stock: 2903
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 125
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
En stock: 77
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3
