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| Numéro d'article | APT11GF120KRG |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 25A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 44A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 8A |
| Puissance - Max | 156W |
| Échange d'énergie | 300µJ (on), 285µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 65nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 7ns/100ns |
| Condition de test | 800V, 8A, 10 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220 [K] |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 25A 156W TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 25A 156W TO220
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
En stock: 91
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
En stock: 0
