Numéro d'article | APT10SCD65KCT |
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État de la pièce | Active |
Configuration de diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 17A |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 650V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-220-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-220 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
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