Numéro d'article | APT100GT60B2RG |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | NPT |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 148A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
Puissance - Max | 500W |
Échange d'énergie | 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 460nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 40ns/320ns |
Condition de test | 400V, 100A, 4.3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30