Numéro d'article | APT100GT120JU2 |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 140A |
Puissance - Max | 480W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5mA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 7.2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | ISOTOP |
Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 14
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30