Infineon Technologies SPP18P06P H

Numéro d'article: SPP18P06P H
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.67500/pcs
10 pcs
0.63300/pcs
100 pcs
0.50035/pcs
500 pcs
0.38801/pcs
1,000 pcs
0.30633/pcs

Total:0.67500/pcs

Unit Price:

0.67500/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	SPP18P06P H
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	18.7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO-220-3
Paquet / cas	TO-220-3