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| Numéro d'article | BSS806NEH6327XTSA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.75V @ 11µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 529pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-SOT23-3 |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
En stock: 9000
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
En stock: 21000
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
En stock: 0
