Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - RF BFP196WNH6327XTSA1

Infineon Technologies BFP196WNH6327XTSA1

Numéro d'article
BFP196WNH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IC RF TRANS NPN SOT343-4
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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0.04400/pcs
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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article BFP196WNH6327XTSA1
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 7.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.3dB @ 900MHz
Gain 9.7dB
Puissance - Max 700mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-82A, SOT-343
Package de périphérique fournisseur PG-SOT343-4
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