Fairchild/ON Semiconductor FDD4N60NZ

Numéro d'article: FDD4N60NZ
Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor
La description: MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fairchild / ON Semiconductor

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Paramètre du produit

Numéro d'article	FDD4N60NZ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 25V
Vgs (Max)	±25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63