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| Numero de parte | SI3900DV-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | 830mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
En stock: 6000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
En stock: 0
