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| Numero de parte | IRFB11N50A |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
En stock: 1691
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
En stock: 965
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
En stock: 1598
