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| Numero de parte | SSM6K513NU,LF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 4A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-UDFNB (2x2) |
| Paquete / caja | 6-WDFN Exposed Pad |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
En stock: 12000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
En stock: 3510
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 20V 4.2A
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 20V 10A
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET NCH 30V 15A UDFNB
En stock: 9000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
En stock: 0
