Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K335R,LF

Numero de parte: SSM3K335R,LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto

Numero de parte	SSM3K335R,LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23F
Paquete / caja	SOT-23-3 Flat Leads