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| Numero de parte | CSD25304W1015T |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-DSBGA |
| Paquete / caja | 6-UFBGA, DSBGA |
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
En stock: 3000
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
En stock: 250
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
En stock: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
En stock: 2000
